- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
Détention brevets de la classe H01L 21/3213
Brevets de cette classe: 5176
Historique des publications depuis 10 ans
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462
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394
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344
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111
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
903 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
400 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
317 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
243 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
218 |
| Lam Research Corporation | 4775 |
206 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
127 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
96 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
82 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
81 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
76 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 35384 |
71 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
69 |
| Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 608 |
69 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
65 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 30585 |
57 |
| Nanya Technology Corporation | 2000 |
42 |
| ASM IP Holding B.V. | 1715 |
41 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
39 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
39 |
| Autres propriétaires | 1935 |